李鹏

作品数：2被引量：5H指数：2
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发文主题：MOSFETGAN性能比较单相全桥逆变器宽禁带更多>>
发文领域：电子电信建筑科学更多>>
发文期刊：《黑龙江科技大学学报》更多>>
所获基金：中国煤炭工业协会科学技术研究指导性计划项目更多>>
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增强型GaN MOSFET与Si MOSFET在单相全桥逆变器中的性能比较被引量：3
《大功率变流技术》2017年第6期48-51,共4页邓孝祥 李鹏 戴超凡 杨荣浩 
中国煤炭工业协会指导性计划项目(MTKJ2016-367)
为分析宽禁带半导体器件GaN MOSFET与Si MOSFET栅极驱动损耗、开关损耗的成因及关联参数,利用单相全桥逆变拓扑结构搭建功率开关器件应用测试平台,对GaN MOSFET和Si MOSFET在不同开关频率及器件工作温度下的效率进行测试比较。实验结果...
关键词：单相全桥逆变器 宽禁带 增强型GaN MOSFET 开关损耗 栅极驱动损耗 
桩-锚支护深基坑变形与内力的数值模拟被引量：2
《黑龙江科技大学学报》2016年第3期268-271,288,共5页赵延林 侯朝亚 李鹏 
黑龙江省级领军人才梯队后备带头人基金项目
针对桩-锚支护基坑的受力与变形问题,应用ABAQUS模拟分析了开挖工况、锚杆支撑作用及预加轴力等因素对基坑周边土体变形影响范围、坑底隆起变形、桩身弯矩及变形的影响.结果表明：基坑开挖水平向影响范围约为2.0H,竖向影响范围约为3.0H...
关键词：深基坑 支护桩 桩身位移 桩身弯矩 
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