霍艳芳

作品数：3被引量：10H指数：2
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发文主题：表面处理碱催化薄膜光学六甲基二硅氮烷溶胶-凝胶法更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《光子学报》《激光杂志》更多>>
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水氨或/和六甲基二硅氮烷表面处理碱催化二氧化硅增透膜结果的对比研究被引量：6
《光子学报》2013年第7期823-827,共5页霍艳芳 罗荣辉 苏永钢 
针对溶胶-凝胶法制备的1/4波长二氧化硅增透膜耐环境性差的缺点,对其进行了水氨或/和六甲基二硅氮烷的表面处理,并对单一气氛处理和两种气氛联合处理后的膜层性质进行了对比研究.展现了膜层经各项表面处理后物理性质和微观结构的变化,...
关键词：薄膜光学 溶胶-凝胶法 二氧化硅增透膜 表面处理 水氨 六甲基二硅氮烷 
基于GPGPU光电材料的核多项式算法实现
《激光杂志》2012年第4期13-14,共2页楚广勇 霍艳芳 苏永刚 罗荣辉 
在物理学中,对光电材料的量子系统晶格模型进行模拟是了解光电材料的量子特性最重要的方法之一。而模拟中的主要任务是计算电子态密度。这需要大规模的计算,因此它通常是在计算机集群、甚至是超级计算机下进行的。而随着GPGPU的发展,利...
关键词：GPGPU 并行计算架构 核多项式 
氮掺杂对4H-SiC电子结构的影响被引量：4
《激光杂志》2011年第6期20-22,共3页郭小伟 罗荣辉 张操 刘小玲 楚广勇 霍艳芳 
采用广义梯度近似的密度泛函理论方法计算了4H-SiC的本征态的电子结构以及4H-SiC材料N掺杂后的电子结构,计算结果表明:与本征态相比,N掺杂后的4H-SiC的导带与价带均向低能端移动,导带移动幅度大于价带,使得掺杂后的禁带宽度小于本征态...
关键词：4H—SiC 掺杂 第一性原理 电子结构 
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