曹琛

作品数：3被引量：6H指数：2
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供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文主题：LET抗辐射偏置电路PMOS保护环更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《北京理工大学学报》《光电子．激光》更多>>
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P型掺杂区工艺对Si基Pinned型光电二极管量子效率的影响被引量：1
《光电子．激光》2015年第1期54-62,共9页曹琛 张冰 王俊峰 吴龙胜 
国防预先研究项目基金(51311050301095)资助项目
为了更全面、系统地分析Si基Pinned型光电二极管（PPD,pinned photodiode）量子效率的工艺敏感特性,基于考虑表面（SRH,shockley-read-hall）复合率模型的时域有限差分数值模拟方法,对不同P＋型表面层和P型外延（EPI,epitaxial）层工艺...
关键词：Pinned型光电二极管(PPD) 量子效率 工艺条件 数值模拟 
一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路被引量：4
《北京理工大学学报》2013年第2期190-194,共5页韩本光 曹琛 吴龙胜 刘佑宝 
通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种...
关键词：抗辐射设计加固 单粒子瞬态 辐射效应 偏置电路 线性能量传输(LET) 
保护环对130nm体硅PMOS抗单粒子瞬态特性的影响被引量：2
《微电子学与计算机》2012年第12期149-153,共5页曹琛 王俊峰 岳红菊 唐威 吴龙胜 
基于TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真软件,通过对带有不同宽度保护环的130nm体硅PMOS器件进行单粒子辐照仿真,研究了保护环结构对深亚微米器件因单粒子辐照所产生的寄生双极效应.仿真结果表明,保护环结构能够大幅缩短器件SE...
关键词：保护环 深亚微米 器件模拟 单粒子辐照 寄生双极效应 
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