杨一鸣

作品数：1被引量：5H指数：1
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供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
发文主题：SIC加热器线圈温度曲线外延炉更多>>
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SiC外延炉加热系统的设计被引量：5
《电子工业专用设备》2017年第1期4-7,34,共5页陈特超 林伯奇 龙长林 肖慧 胡凡 程文静 丁杰钦 杨一鸣 龚杰洪 
国家高新技术发展计划(863计划)资助项目(2014AA041401)
碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟。简要介绍了SiC外延生长设备中加热...
关键词：碳化硅 外延生长 加热器 线圈 温度曲线 
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