陈志强

作品数：3被引量：10H指数：2
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供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文主题：ZNO:ALZNO靶制备电学性能透明导电薄膜更多>>
发文领域：电子电信理学核科学技术金属学及工艺更多>>
发文期刊：《无机材料学报》《核技术》《武汉理工大学学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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正电子湮没技术作为材料无损检测的应用研究被引量：2
《核技术》2014年第6期24-28,共5页曾辉 陈志强 姜静 薛旭东 梁建平 刘向兵 王荣山 吴奕初 
国家自然科学基金(No.11175136、No.51071111、No.J1210061);武汉大学自主科研项目;苏州热工研究院有限公司技术开发项目资助
利用正电子湮没技术对材料内部原子尺度缺陷和损伤十分敏感的特点,设计了一种新的正电子无损检测(Non-destructive testing,NDT)装置,并使用单一样品分析了形变及辐照损伤材料的缺陷状态,证实该测量系统的可行性和可靠性。正电子NDT有...
关键词：正电子湮没 无损检测(yon—destructive TESTING NDT) 缺陷 
直流溅射ZnO导电靶制备ZnO:Al透明导电薄膜被引量：5
《武汉理工大学学报》2007年第4期52-54,共3页方斌 官文杰 陈欣 陈志强 
利用直流(DC)磁控溅射导电率良好的ZnO:Al陶瓷制备ZnO:Al透明导电薄膜。在不同的温度下对靶的溅射得到的薄膜进行X-ray、AFM、霍尔系数的测量等的分析,研究了溅射温度对膜的薄膜结构电学和光学性能的影响。制得的薄膜均为(002)面的单一...
关键词：ZnO:Al(ZAO)薄膜 直流(DC)磁控溅射 电学性能 
Zn_(0．9)Mg_(0．1)O:Ga宽带隙导电膜的PLD制备及性能研究被引量：3
《无机材料学报》2006年第3期707-712,共6页陈志强 方国家 李春 盛苏 赵兴中 
国家自然科学基金(60244003)
利用脉冲激光沉积法(PLD)制备了Ga掺杂的Zn0．9Mg0．1O(ZMO:Ga)宽带隙透明导电薄膜．采用各种分析手段研究了沉积温度和真空退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响．结果表明,制备的薄膜具有ZnO(002)择优取向;200℃下沉积的薄...
关键词：ZnMgO:Ga膜 脉冲激光沉积 沉积温度 真空退火 
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