李梅娇

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供职机构:华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
发文主题:ALGAN发光二极管多量子阱结构优化紫外发光二极管更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《发光学报》更多>>
所获基金:广东省战略性新兴产业专项广州市科技计划项目更多>>
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近紫外380nm发光二极管的量子阱结构优化
《发光学报》2013年第5期623-628,共6页李梅娇 李凯 朱明军 郭志友 孙慧卿 
广东省战略性新兴产业专项资金LED产业项目(2011A081301004;2012A080304006);广州市科技计划(2010U1-D00131)资助项目
模拟分析了有源区不同垒层对380 nm近紫外发光二极管的内量子效率、电子空穴浓度分布、辐射复合效率等产生的影响。有源区垒层材料分别选用GaN、Al0.1Ga0.9N、Al0.1Ga0.9N/Al0.15Ga0.85N/Al0.1Ga0.9N,其中3层AlGaN的厚度比分别为6 nm/8 ...
关键词:近紫外发光二极管 多量子阱 垒层 ALGAN 
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