云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 裴晓将

裴晓将: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：清华大学电子工程系更多>>; 发文主题：GANP型反向漏电紫外探测器P-I-N更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《半导体光电》更多>>; 所获基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>

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薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器的反向漏电特性: 《半导体光电》2011年第2期165-167,共3页邹翔汪莱裴晓将赵维王嘉星罗毅; 国家自然科学基金项目(60723002;50706022;60977022);国家"973"计划项目(2006CB302800;2006CB921106);国家"863"计划项目(2007AA05Z429;2008AA03A194);北京市自然科学基金重点项目(4091001);深圳市产学研和公共科技专项资助项目(08CXY-14); 制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上外延生长获得,p-GaN的厚度为30nm。基于该材料制作了具有共面电极的探测器器件,并采用SiO2对刻蚀侧...; 关键词：GAN P-I-N 紫外探测器优质因子反向漏电