张广涵

作品数：3被引量：1H指数：1
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供职机构：南京大学电子科学与工程学院超导电子研究所更多>>
发文主题：ALALOX隧道结超导隧道结更多>>
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所获基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
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Nb/Al-AlO_x/Nb超导隧道结的制备被引量：1
《低温与超导》2015年第7期19-21,共3页姚晓栋 曹春海 张广涵 翟计全 康琳 许伟伟 陈健 吴培亨 
国家自然科学基金(61271081;61371036);国家重点基础研究发展项目(2012CBA00202)资助
在高阻硅衬底上采用光刻、直流磁控溅射、反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等方法研究制备了高质量的Nb/Al-Al Ox/Nb超导隧道结。在4.2K下,测量了直径8μm的圆形结样品,得到临界电流密度约为1.6k A/cm2,漏电流约...
关键词：Nb/Al-AlOx/Nb 超导隧道结 制备工艺 
Al/AlO_x/Al隧道结简化制备技术
《低温与超导》2015年第7期22-24,共3页张广涵 曹春海 翟计全 姚晓栋 李永超 陈健 康琳 许伟伟 吴培亨 
国家自然科学基金(61271081;61371036);国家重点基础研究发展计划项目(2012CBA00202)资助
研究了一种在高阻硅衬底上Al/Al Ox/Al超导隧道结简化制备技术。通过一次光刻镀膜完成隧道结结区的确定和上引线的制备,工艺流程简单重复。在0.3K温度下测量了隧道结样品的I-V特性,能隙电压Vg为0.37m V,超导临界电流密度约为12A/cm2。
关键词：Al/AlOx/Al 隧道结 制备工艺 
Al/AlO_x/Al超导隧道结的制备工艺研究
《低温与超导》2013年第9期47-49,69,共4页房玉荣 曹春海 许钦印 王林 张广涵 姚晓栋 许伟伟 孙国柱 吴培亨 
国家自然科学基金(61271081;61027008);国家重点基础研究发展计划项目(2011CBA00202)资助
研究了在高阻硅衬底上Al/AlO x/Al隧道结的制备技术,采用电子束蒸发制备Al/AlO x/Al三层材料,湿法刻蚀制备底电极和上电极以及电路连线,PECVD法生长绝缘层(SiO2)保护超导隧道结,RIE刻蚀上电极窗口。在400mK温度下测量了Al/AlO x/Al隧道...
关键词：AL AlOx AL 超导隧道结 铝刻蚀 制备工艺 
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