吴正军

作品数：3被引量：2H指数：1
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发文主题：光电特性太阳电池PIN非晶硅选择性发射极更多>>
发文领域：电气工程更多>>
发文期刊：《微纳电子技术》《电子与封装》更多>>
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选择性发射极参数对太阳电池光电特性的影响被引量：2
《微纳电子技术》2010年第4期202-206,共5页吴正军 梁海莲 顾晓峰 
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(教外司留[2008]890);教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-06-0484)
选择性发射极太阳电池具有独特的器件结构及优异的光电特性。基于M·Tucci等人实际制作的一款选择性发射极太阳电池,利用TCAD软件MEDICI建立了其器件结构模型,在比实验更大的参数范围内分析了发射区厚度、n+区和n区掺杂浓度等物理量对...
关键词：太阳电池 选择性发射极 光电转换效率 TCAD软件 模拟 
缺陷浓度对非晶硅薄膜太阳电池性能的影响
《电子与封装》2009年第12期37-40,共4页吴正军 顾晓峰 
教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]890);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484)
利用一维微光电子结构分析工具AMPS-1D(Analysis of Microelectronic and Photonic Struc-tures-1D)研究了一种PIN结构的非晶硅基薄膜太阳电池的电流-电压特性。通过系统分析不同缺陷浓度对太阳电池光电特性的影响,探索了在不致严重影...
关键词：非晶硅 缺陷 太阳电池 PIN 光电特性 
陷阱分布模型对非晶Si太阳电池性能的影响
《微纳电子技术》2009年第7期391-395,共5页吴正军 顾晓峰 
教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]890)
利用TCAD软件模拟分析了ITO/p-a-Si:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H结构的非晶硅太阳电池的J-V特性,研究了不同缺陷分布模型对太阳电池光电特性的影响。利用一种较精确的陷阱模型优化了太阳电池的结构参数,重点研究了本征层厚度对太阳电池光电特...
关键词：非晶硅 太阳电池 p型-本征型-n型半导体(PIN) 陷阱模型 光电特性 
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