陈焕章

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发文主题：CMOSVLSI多层布线技术双层金属布线更多>>
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适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究
《Journal of Semiconductors》1997年第3期218-222,共5页徐秋霞 海潮和 陈焕章 赵玉印 李建勋 
多层金属有线互连技术是VLSI工艺中最重要和关键的技术之一．本文系统地研究了用效0．8μmCMOSVLSI的双层金属布线工艺技术，特别是对双层金属布线层间介质的平坦化、接触孔和通孔的低阻欧姆接触及可靠的金属互连等关键工艺进行了分析...
关键词：多层布线技术 VLSI CMOS 
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