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检索条件:"作者=刘纪博 "
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高浓度氧空位(V_(o))掺杂ZnO的电子结构和光学性质的第一性原理计算
《伊犁师范学院学报(自然科学版)》2021年第3期25-32,共8页史蕾倩 晨曦 潘多桥 庞国旺 丽芝 马磊  王晓东 张丽丽  
基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势GGA+U的方法,构建了本征ZnO和不同浓度O空位掺杂ZnO_(x)(x=0.625、0.75、0.875)的超晶胞体系,对掺杂前后体系的能带结构、态密度以及光学性质进行了计算.计算结果表明:对比本征ZnO体系,掺杂...
关键词:第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质 ZnO 
C-Mg掺杂GaN电子结构和光学性质的第一性原理研究被引量:2
《原子与分子物理学报》2022年第6期131-137,共7页丽芝 史蕾倩 王晓东 马磊  庞国旺 晨曦 潘多桥 张丽丽  赵旭才 黄以能 
新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2021D04015);新疆维吾尔自治区高校科技计划项目(XJEDU2021Y044);伊犁师范大学士启动基金(2021YSBS008)。
基于密度泛函理论第一性原理的方法,计算了GaN、C单掺、Mg单掺和C-Mg共掺体系的电子结构和光学性质,计算结果表明:掺杂后,GaN体系的晶格发生畸变,有利于光生空穴-电子对的分离,C-Mg共掺体系结构最稳定,掺杂体系的禁带宽度均减小,其中C-M...
关键词:GAN 第一性原理 电子结构 光学性质 
(K_(0.5)Na_(0.5))Nb_(1-x)Ta_(x)O_(3)铁电性的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2025年第4期138-146,共9页褚新建  晨曦  
教育部产学合作协同育人项目(202102240014)。
随着铅基陶瓷的大量使用,造成了严重的环境和健康问题,为了能够找寻替代铅基陶瓷的材料,人们开始了对无铅陶瓷材料的探索.(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_(3)材料由于其优异的铁电压电性能,成为了无铅陶瓷材料的代表,但是碱性组分在高温下的高挥...
关键词:第一性原理 钙钛矿结果 KNN 铁电性 
GGA+U方法研究C-Al掺杂GaN的电子结构和光学性质被引量:1
《原子与分子物理学报》2023年第1期137-143,共7页王晓东 潘多桥 丽芝  马磊 晨曦 庞国旺 史蕾倩 张丽丽  赵旭才 黄以能 
新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2021D04015);新疆维吾尔自治区高校科技计划项目(XJEDU2021Y044);伊犁师范大学士启动基金(2021YSBS009)。
本文用密度泛函理论的第一性原理,研究了C单掺、Al单掺、C-Al共掺GaN体系的电子结构及光学性质.通过分析发现,与本征GaN相比,掺杂后体系都发生了晶格畸变,其中C-Al共掺GaN体系,较容易形成且禁带宽度明显减小,形成了P型半导体,显著降低...
关键词:GAN GGA+U 电子结构 光学性质 
利用GGA+U法研究Cu和X(X=Cl,S和O)掺杂纤锌矿GaN电子结构和光学性质
《分子科学学报》2023年第2期179-188,共10页马磊 王晓东  丽芝 张丽丽  赵旭才 黄以能 
伊犁哈萨克自治州科技计划资助项目(YZ2022B021);新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题资助项目(2021D04015);新疆维吾尔自治区高校科研计划资助项目(XJEDU2021Y044)。
掺杂是改进半导体禁带宽度的常用手段,而单掺杂与共掺杂对提高体系光催化性能的程度各不相同,为了更清楚的了解哪种方法对光催化性能的影响更大,因此本文利用GGA+U超软赝势法对本征GaN、Cu单掺及Cu-X(X=Cl,S和O)共掺GaN体系的电子结构...
关键词:GGA+U GAN 电子结构 光学性质 
GGA+U方法研究C与Ti掺杂GaN的电子结构和光学性质被引量:1
《人工晶体学报》2022年第1期77-84,共8页 庞国旺 马磊 丽芝 王晓东 史蕾倩 潘多桥 晨曦 张丽丽  赵旭才 黄以能 
伊犁师范大学士启动基金(2021YSBS009);新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2021D04015);新疆维吾尔自治区高校科技计划项目(XJEDU2021Y044);伊犁师范大学科研项目(2020YSYB010))。
作为一种优良的半导体材料,GaN所具有的宽禁带导致其只能吸收可见光中的紫光,因此如何增加GaN材料对可见光的利用率是一个值得研究的问题,掺杂是解决这个问题常用的手段。本文利用第一性原理的方法对本征GaN,C单掺、Ti单掺、C-Ti共掺Ga...
关键词:第一性原理 哈伯德U修正 GAN 掺杂 电子结构 光学性质 半导体 
C与Na掺杂AlN电子结构与光学性质的第一性原理研究
《原子与分子物理学报》2024年第2期24-30,共7页苏尔琴  李梦娜 于宪省 郭思嘉 张丽丽 赵旭才  
新疆维吾尔自治区重点实验室开放课题(2021D04015);新疆维吾尔自治区高校科技计划项目(XJEDU2021Y044);伊犁师范大学士启动基金(2021YSBS009)。
基于密度泛函理论(DFT)的平面波超软赝势法,计算了本征AlN,C-AlN,Na-AlN以及C-Na-AlN四种体系的电子结构和光学性质.得出结论:掺杂后各体系与本征AlN相比发生了晶格畸变,C-Na-AlN体系的结合能最小,体系最稳定.掺杂体系相比于本征AlN,禁...
关键词:ALN 电子结构 光学性质 第一性原理 
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