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检索条件："关键词=双极RF功率管 "
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双极RF功率管的深阱结终端被引量：1
《Journal of Semiconductors》2003年第4期396-400,共5页周蓉 胡思福 李肇基 张庆中 
给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传...
关键词：双极RF功率管 深陆结终端 击穿电压 填充介质 
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