周蓉

作品数:6被引量:19H指数:1
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发文期刊:《电子科技大学学报》《微电子学》《Journal of Semiconductors》更多>>
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双极RF功率管的深阱结终端被引量:1
《Journal of Semiconductors》2003年第4期396-400,共5页周蓉 胡思福 李肇基 张庆中 
给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传...
关键词:双极RF功率管 深陆结终端 击穿电压 填充介质 
一种新的梳状基区RF功率晶体管被引量:1
《Journal of Semiconductors》2001年第9期1197-1201,共5页周蓉 张庆中 胡思福 
给出一种新的 RF功率器件结构 -梳状基区结构 .在不增加本征集电结面积的情况下 ,该结构能显著改善 RF功率晶体管散热特性 ,增大器件的耗散功率和输出功率 ,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾 .模拟分析表明 ,采...
关键词:梳状基区 散热 雪崩击穿 RF功率晶体管 
一种提高硅双极器件频率和功率的新技术
《微电子学》2000年第2期100-102,共3页周蓉 胡思福 张庆中 
提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术——具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用 MEDICI模拟分析表明 ,该技术可将双极器件的击穿电压 BVCB0 提高到平行平面结的 90 %以上 ;可减小寄生效应和漏电流 ,有助于提高...
关键词:硅双极器件 频率 功率 深阱终端结构 
硅双极功率晶体管镇流技术的改进
《电子科技大学学报》1999年第5期486-489,共4页周蓉 胡思福 张庆中 
四川省应用基础研究专项基金
从可靠性和功率增益两方面对现有硅双极功率晶体管镇流技术作了仔细分析,并提出了改进措施。结果表明,采用改进的复合镇流技术,不仅有效地防止热斑和电流二次击穿现象,提高了器件的可靠性和工作寿命,而且有助于提高器件的功率增益。
关键词:硅化物 氮化钛 镇流电阻 双极晶体管 功率晶体管 
提高雪崩击穿电压新技术──深阱终端结构被引量:1
《电子科技大学学报》1999年第3期259-261,共3页周蓉 胡思福 张庆中 
四川省应用基础研究专项基金
研究了深阱终端结构提高击穿电压的原理,模拟分析了阱中介质、阱深、阱宽及阱表面场板对击穿电压的影响。结果表明,带有场极的深阱终端结构可以提高击穿电压到平行平面结的90%。同时,深阱终端结构在不减小散热面积的情况下,还大...
关键词:深阱终端 雪崩击穿电压 介质 场板 结构 
半导体桥(SCB)的研究被引量:16
《Journal of Semiconductors》1998年第11期857-860,共4页周蓉 岳素格 秦卉芊 张玉才 胡思福 
目前常用的点火器Ni-Cr金属桥丝(热桥丝)体积较大,点火能量高(几十毫焦),作用时间长(几毫秒),且易误触发.本文中采用半导体器件和集成电路技术研制的新一代点火器——半导体桥(SCB)体积小(为热桥丝三十分之一),...
关键词:半导体桥 SCB 点火器 半导体技术 
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