张玉才

作品数：2被引量：17H指数：1
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供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院微电子科学与工程系更多>>
发文主题：半导体桥半导体技术点火器RF功率雪崩击穿更多>>
发文领域：电子电信化学工程更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>
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深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析被引量：1
《Journal of Semiconductors》1999年第8期688-693,共6页张玉才 胡思福 
本文提出一种能有效提高 Ｒ Ｆ 功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱 Ｒ Ｆ 功率双极晶体管，并且采用 Ｍ Ｅ Ｄ Ｉ Ｃ Ｉ分析软件研究了影响器件特性的一些因素：深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以...
关键词：双极晶体管 雪崩击穿 深阱晶体管 
半导体桥(SCB)的研究被引量：16
《Journal of Semiconductors》1998年第11期857-860,共4页周蓉 岳素格 秦卉芊 张玉才 胡思福 
目前常用的点火器Ｎｉ－Ｃｒ金属桥丝（热桥丝）体积较大，点火能量高（几十毫焦），作用时间长（几毫秒），且易误触发．本文中采用半导体器件和集成电路技术研制的新一代点火器——半导体桥（ＳＣＢ）体积小（为热桥丝三十分之一），...
关键词：半导体桥 SCB 点火器 半导体技术 
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