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14kV-1 A SiC超高压PiN二极管被引量：1
《固体电子学研究与进展》2016年第5期365-368,共4页栗锐 黄润华 柏松 陶永洪 
设计了一种耐压超过14kV的4H-SiC超高压PiN二极管。外延材料N-层掺杂浓度3.0×10^(14) cm^(-3),厚度140μm。通过模拟仿真,采用台面结合双JTE结终端保护结构,器件实现了14kV以上耐压,正向导通电流1A。
关键词：4H-SIC PIN二极管 超高压 双结终端扩展 
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