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检索条件："关键词=开管扩Ga模型 "
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Ga在SiO_2/Si系下的扩散模型与分布规律被引量：3
《稀有金属材料与工程》2005年第6期920-923,共4页裴素华 张晓华 孙海波 于连英 
国家自然科学基金(69976019)资助项目
为给出受主杂质Ga通过SiO2/Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律,利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻(R□)测量方法,对Ga在SiO2/Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究,得出新的结论:(1)Ga在SiO...
关键词：开管扩Ga模型 分布规律 分凝效应 SiO2-Si界面 
开管扩Ga模型的初步建立
《科学技术与工程》2003年第1期61-64,共4页裴素华 孙海波 修显武 薛成山 杨利 郭兴龙 
国家自然科学基金(69976019);山东省自然科学基金(Y99G01)
依照二次离子质谱(SIMS)、扩散电阻(SRP)和原子力显微镜(AFM)等分析手段,首次阐述了P型杂质Ga由SiO_2膜的吸收输运和SiO_2-Si内界面上的分凝效应两者的统一,完成硅中可控制掺杂的全过程;并揭示了其中SiO_2薄层的表面效应及Si的体内效应...
关键词：SiO2/Si系 扩散机理 运动轨迹 分布规律 掺杂 二次离子质谱 开管扩Ga模型 
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