于连英

作品数：4被引量：5H指数：1
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供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
发文主题：GATIOSIOSI性能分析更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《稀有金属材料与工程》《河北师范大学学报（自然科学版）》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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添加剂对TiO_2基敏感材料特性的影响被引量：1
《河北师范大学学报（自然科学版）》2005年第4期369-371,共3页黄萍 裴素华 孙海波 李秀琴 于连英 
在金红石结构的TiO2中掺入质量分数为10%的Nb2O5,0.5%的Sb2O3和2%的In,可以充分发挥添加剂的强催化作用,使敏感器件在空气中的阻值降低到10MΩ以下,并在一定程度上提高器件灵敏度,响应三甲胺(TMA)气体的最低下限体积分数为1×10-6.
关键词：敏感材料 TIO2 元件阻值 灵敏度 掺杂 
低阻TiO_2基三甲胺气体传感器性能分析
《传感器技术》2005年第6期7-8,11,共3页黄萍 裴素华 孙海波 于连英 李秀琴 
按旁热式结构采用以TiO2为基质对InSb2O3Nb2O5氧化物不同的重量比去掺杂研制成的三甲胺(TMA)气体传感器,大幅度降低了加热功率和其在空气中的阻值,器件对响应TMA气体具有灵敏度高、响应时间快、恢复时间短、长期稳定等特点,对干扰气体NH...
关键词：气体传感器 敏感元件 响应 灵敏度 三甲胺 
Ga在SiO_2/Si系下的扩散模型与分布规律被引量：3
《稀有金属材料与工程》2005年第6期920-923,共4页裴素华 张晓华 孙海波 于连英 
国家自然科学基金(69976019)资助项目
为给出受主杂质Ga通过SiO2/Si系统实现开管掺杂过程的模型描述和Si体内遵循的主要分布规律,利用二次离子质谱分析(SIMS)、薄层电阻(R□)测量方法,对Ga在SiO2/Si系下的扩散特性、硅表面及体内分布进行了系统研究,得出新的结论:(1)Ga在SiO...
关键词：开管扩Ga模型 分布规律 分凝效应 SiO2-Si界面 
Ga近硅表面连续低浓度分布特性分析被引量：2
《稀有金属材料与工程》2005年第4期565-568,共4页裴素华 修显武 孙海波 黄萍 于连英 
国家自然科学基金(69976019)资助项目
为进一步揭示Ga在SiO_2/Si系统下的完整扩散特性和分布行为,利用扩展电阻(SRP)分析方法,对恒定源、限定源,二次氧化(指磷扩散的再分布过程)不同温度和气氛,Ga在近硅表面微区域浓度连续性变化状态进行了系统研究。结果表明,恒定源掺杂过...
关键词：GA 近硅表面 浓度分布 
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