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InGaAsP量子阱混合技术理论及模拟研究被引量：3
《量子电子学报》2003年第3期350-357,共8页岳优兰 
本文以晶格中原子的扩散理论为基础,分析了四元系InGaAsP半导体材料中III、V族原子的扩散规律,建立了量子阱和超晶格结构中量子阱混合(QWI)的理论模型,模拟计算了半导体材料中组分浓度与扩散长度的关系,以及应变与扩散长度的关系,计算...
关键词：半导体 量子阱 超晶格 量子阱混合 理论及数值计算 INGAASP 铟钙砷磷 
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