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一种简化衬底模型的SOI MOS变容管模型: 《电子器件》2016年第6期1297-1301,共5页李文钧陈小川刘军; 国家自然科学基金项目(61372021); 提出一种适用于反型层RF SOI MOS变容管行为表征模型。在BSIMSOI的基础上,模型采用简化的衬底模型和外围射频寄生模型来表征变容管的射频寄生效应,同时采用T、π互转的方式提出参数提取算法。模型最终应用到华虹宏力SOI工艺提供的不同栅...; 关键词：SOI MOS变容管简化衬底模型数据拟合参数提取算法

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