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检索条件："关键词=C^+离子注入 "
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C^+离子注入与CoSi_2薄膜应力的研究被引量：5
《自然科学进展》2002年第12期1296-1300,共5页王若楠 刘继峰 冯嘉猷 
国家自然科学基金(批准号:50171035)
根据改进的Thomas-Fermi-Dirac模型,分析了CoSi_2薄膜中本征应力的起源,证明了基体与薄膜的原子表面电子密度差是薄膜本征应力的来源。实验在Si(100)基体注入碳离子(C^+),然后沉积钴(Co)薄膜,再进行快速退火(Rapid Thermal Annealing,简...
关键词：C^+离子注入 CoSi2薄膜 本征应力 原子表面电子密谋 TFD模型 二硅化钴薄膜 
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