云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 检索结果

检索结果分析

检索条件："关键词=SIGE/SI异质结双极晶体管 "

共条记录，以下是1-2

全选清除导出

视图：

排序：

显示条数：

SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响: 《电子学报》2000年第8期63-65,共3页徐晨沈光地邹德恕陈建新李建军罗辑魏欢周静董欣; 国家"8 63"计划!(No .863 30 7 1 5 4(6) );国家自然科学基金!(No.698760 0 4 );北京市科委高技术重点项目和北京市自然科学基金!(; 从模拟和实验两方面研究了SiGe/SiHBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响 .发现两界面偏离时器件性能会变差 .尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十就足以产生相当高的电子寄生势垒 ,严重恶...; 关键词：SIGE/SI异质结双极晶体管 pn结界面相对位移

SiGe/Si异质结双极晶体管工艺技术研究: 《半导体技术》2012年第4期276-279,304,共5页贾素梅杨瑞霞刘英坤邓建国高渊; 邯郸市科学技术研究与发展计划项目(1155103119-4); 介绍了多晶硅发射极双台面SiGe/Si异质结双极晶体管制作工艺流程。通过对LPCVD在n型Si衬底上外延生长SiGe合金层作为异质结双极晶体管基区、自中止腐蚀工艺制作发射区台面、多晶硅n型杂质掺杂工艺制作发射极、PtSi金属硅化物制作器件欧...; 关键词：SIGE/SI异质结双极晶体管能带工程掺杂工程台面结构关键工艺

全选清除导出

共1页<1>