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检索条件："关键词=TCAD数值模拟 "

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空穴、H+在SiO2体内输运的数值模拟研究被引量：1: 《数值计算与计算机应用》2020年第2期151-158,共8页李培贺朝会郭红霞李永宏张晋新; 半导体器件的电离辐射效应涉及到材料内部的一系列物理过程,包括空穴对的产生与复合、载流子的输运以及氧化物陷阱电荷和界面态电荷的形成与累积.空穴和H+的输运机制是理解电离辐射效应的关键环节,其中空穴的输运影响着氧化物陷阱正电...; 关键词：电离辐射效应空穴输运机制 H^+输运机制 TCAD数值模拟

SiGe BiCMOS低噪声放大器激光单粒子效应研究被引量：1: 《物理学报》2024年第4期200-208,共9页李培董志勇郭红霞张凤祁郭亚鑫彭治钢贺朝会; 国家自然科学基金(批准号:12005159);陕西省高校科协青年人才托举计划(批准号:20210501)资助的课题。; 随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高,SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块.SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然...; 关键词：SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器单粒子效应激光模拟实验 TCAD数值模拟 ADS电路模拟

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