PECVD SiC材料刻蚀技术  

Etching Characteristics of PECVD SiC

作　　者：陈晟[1] 李志宏[1] 张国炳[1] 郭辉[1] 王煜[1] 田大宇[1] 

机构地区：[1]北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871 北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871 北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871 北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871 北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871 北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871

出　　处：《Journal of Semiconductors》2006年第z1期381-384,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：北京市自然科学基金资助项目(批准号:4052017)

摘　　要：通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.

关 键 词：PECVD 碳化硅 反应离子刻蚀 电感耦合离子刻蚀 氢含量 功率 

分 类 号：TN402[电子电信—微电子学与固体电子学]