陈晟

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发文主题：反应离子刻蚀功率氢含量压强PECVD更多>>
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PECVD SiC材料刻蚀技术
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期381-384,共4页陈晟 李志宏 张国炳 郭辉 王煜 田大宇 
北京市自然科学基金资助项目(批准号:4052017)
通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证IC...
关键词：PECVD 碳化硅 反应离子刻蚀 电感耦合离子刻蚀 氢含量 功率 
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