AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取  

Extraction of the Small-Signal Equivalent Circuit Parameters of the AlGaN/GaN HEMT Device

作　　者：刘丹[1] 陈晓娟[1] 罗卫军[1] 李诚瞻[1] 刘新宇[1] 和致经[1] 

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029 中国科学院微电子研究所,北京,100029

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期411-413,共3页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903)及中国科学院重点创新(批准号;KGCX2-SW-107)资助项目

摘　　要：利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.

关 键 词：ALGAN/GAN HEMT 小信号等效电路 参数提取 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]