两种不同结构InGaP/GaAs HBT的直流特性分析  

DC Performance of InGaP/GaAs HBT with Two Different Structures

作　　者：林玲[1,2] 徐安怀[1] 孙晓玮[1] 齐鸣[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期426-429,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究规划资助项目(批准号:2002CB311902)

摘　　要：InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构HBT的直流特性和高频特性进行了模拟计算,并实际制备出了两种材料结构的大尺寸(发射极面积100μm×100μm)双台面InGaP/GaAs HBT器件,对其直流特性进行了测试和分析,两种外延结构的器件共射直流增益分别为50和350,模拟得其最大截止频率分别为8和10GHz.

关 键 词：异质结双极晶体管 INGAP/GAAS 直流特性 

分 类 号：TN385[电子电信—物理电子学]