基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC  

Monolithically Integrated Long Wavelength Photoreceiver OEIC Based on InP/InGaAs HBT Technology

作　　者：李献杰[1] 赵永林[1] 蔡道民[1] 曾庆明[1] 蒲运章[1] 郭亚娜[1] 王志功[2] 王蓉[2] 齐鸣[3] 陈晓杰[3] 徐安怀[3] 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]东南大学射频与光电集成电路研究所,南京210096 [3]中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期520-524,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312040,2002AA312040),重点实验室基金(批准号:51432070104ZK3401)和国家重大基础研究发展规划(批准号:2003CB314901)资助项目

摘　　要：采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm的InP/InGaAs HBT直流增益为40,截止频率和最高振荡频率分别为45和54GHz;集成InGaAs PIN光探测器在-5V下响应度为0.45A/W@1.55/μm,暗电流小于10nA,-3dB带宽达到10.6GHz;研制的HBT/PIN单片集成光接收OEIC在2.5和3.0Gb/s速率非归零223-1伪随机码传输工作时可以观察到张开的眼图,灵敏度≤-15.2dBm@BER=10-9.

关 键 词：InP INGAAS HBT PIN 光接收 OEIC 

分 类 号：TN929.11[电子电信—通信与信息系统]