云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 蒲运章

蒲运章: 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文主题：INGAAS/INP光电探测器INGAAS长波长INP/INGAAS更多>>; 发文领域：电子电信更多>>; 发文期刊：《Journal of Semiconductors》更多>>; 所获基金：国家高技术研究发展计划更多>>

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基于InP/InGaAs HBT技术的单片集成长波长光接收OEIC: 《Journal of Semiconductors》2007年第z1期520-524,共5页李献杰赵永林蔡道民曾庆明蒲运章郭亚娜王志功王蓉齐鸣陈晓杰徐安怀; 国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312040,2002AA312040),重点实验室基金(批准号:51432070104ZK3401)和国家重大基础研究发展规划(批准号:2003CB314901)资助项目; 采用InP/InGaAs HBT与PIN光探测器单片集成方案,对光接收光电集成电路(OEIC)的外延材料结构和生长、电路设计、制作工艺和性能测试进行了研究.基于自对准InP/InGaAs HBT工艺,实现了1.55μm波长单片集成光接收OEIC.发射极尺寸2μm×8μm...; 关键词：InP INGAAS HBT PIN 光接收 OEIC