ZnO:LiCl/p-Si薄膜中的施主-受主发光  

Donor-Acceptor Luminescence in ZnO:LiCl/p-Si Films

作　　者：刘磁辉[1] 徐小秋[1] 钟泽[1] 傅竹西[1] 

机构地区：[1]中国科技大学物理系,合肥,230026 中国科技大学物理系,合肥,230026 中国科技大学物理系,合肥,230026 中国科技大学物理系,合肥,230026

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期171-174,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金资助项目(批准号:50472009,10474091和50532070)

摘　　要：用溶胶凝胶法(sol-gel technique)在p-Si上制备LiCl:ZnO薄膜.试样分别进行O2-600℃,O2-900℃热退火处理.在77～325K温度范围内作电流-温度(I-T)和深能级瞬态谱(DLTS)测量.DLTS测量获得的两种试样中存在一个稳定的深能级中心.(I-T)测量证实这个深能级中心是与ZnO的本征缺陷相关的.室温PL谱测量得到两种试样存在较强的深能级发光,而紫外发光较弱.由实验结果推测,试样主要的深能级发光过程是电子从双离化Zni**施主能级向单离化V'zn受主能级的跃迁.在O2气氛退火作用下深能级的发光强度增强.

关 键 词：氧化锌薄膜 I-V特性 深能级 施主-受主发光 

分 类 号：O472+.4[理学—半导体物理]