m面非极性GaN材料MOCVD生长和特性  

Growth and Characterization of m Plane GaN Material by MOCVD

作　　者：谢自力[1] 张荣[1] 韩平[1] 刘成祥[1] 修向前[1] 刘斌[1] 李亮[1] 赵红[1] 朱顺明[1] 江若琏[1] 周圣明[1] 施毅[1] 郑有炓[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期249-252,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB6049,2006CB0L1000),国家高技术研究发展计划(批准号:20060103A1153,20060103A1167),国家自然科学基金(批准号:6039072,60476030,60421003,60676057),教育部重大项目(批准号:10416),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)

摘　　要：用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出m面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化m面GaN单晶薄膜.

关 键 词：MOCVD m面 非极化 GAN 

分 类 号：TN304.2+3[电子电信—物理电子学]