竖直式HVPE反应系统的理论模拟与GaN厚膜生长  

Theoretical Simulation of Vertical HVPE Reactor and GaN Thick Film Growth

作　　者：马平[1] 段垚[1] 魏同波[1] 段瑞飞[1] 王军喜[1] 曾一平[1] 李晋闽[1] 

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083 中国科学院半导体研究所,北京,100083

出　　处：《Journal of Semiconductors》2007年第z1期253-256,共4页半导体学报（英文版）

摘　　要：根据流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度分布,以及反应室的温场分布.NH3浓度在衬底附近分布均匀,而GaCl浓度在衬底中心区域较大,周边较小.实验结果表明,外延层在中心区生长速率为260μm/h,周边为140/μm/h.X射线摇摆曲线半高宽为141".O杂质的引入,使得样品具有较强的黄光发射.

关 键 词：氢化物气相外延 理论模拟 GAN 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]