硅电容压力传感器敏感器件的研究  

Research on silicon differential capacitive pressure sensor

作　　者：张治国[1] 褚斌 李颖[1] 孙海玮[1] 祝永峰[1] 林洪[1] 刘沁[1] 匡石[1] 陈信琦[1] 

机构地区：[1]沈阳仪表科学研究院,辽宁沈阳110043 [2]吉林化工集团公司仪表厂,吉林吉林132022

出　　处：《微纳电子技术》2004年第11期39-42,共4页Micronanoelectronic Technology

摘　　要：研制的硅电容压力传感器芯体采用微机械加工技术,加工精度高,易于批量化生产。结构上采用对称的差动电容形式,并将其封装在专用基座中,适用于中、微压力的高精度测量,可用于目前通用压力传感器的升级产品。The silicon differential capacitive pressure sensor is made by micromechanical process,has a symmetrical structure. As the upgrading products of the all-purpose pressure sensor at present, the sensor is suitable for the high-accuracy pressure measurement.

关 键 词：压力传感器 电容 升级 通用 批量 器件 微机械加工技术 封装 量化 基座 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TP212[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]