Soitec最新应变绝缘硅技术可提高电子迁移率80％  

出　　处：《集成电路应用》2004年第12期50-50,共1页Application of IC

摘　　要：法国SoireeSA公司声称面向局部耗散(partially-depleted)CM0s芯片推出业界首项不含锗(Ge)的应变绝缘硅(strained silicom-on-insulator)技术。Soiree的新型PD-sSOI工艺基于该公司的Smart Cut SOI技术，据称能将芯片设计的电子迁移率提升80％。

关 键 词：电子迁移率 绝缘硅 硅技术 SOI工艺 SOI技术 芯片设计 CM SA公司 提升 法国 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] F426.63[经济管理—产业经济]