SOI在射频电路中的应用  

Applications of SOI in RF Circuits

作　　者：骆苏华[1] 刘卫丽[1] 张苗[1] 狄增峰[1] 王石冶[1] 宋志棠[1] 孙晓玮[2] 林成鲁[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海微系统与信息技术研究所国家半导体功能薄膜工程技术研究中心 [2]中国科学院上海微系统与信息技术研究所射频与微波集成系统实验室,上海200050

出　　处：《微电子学》2005年第1期67-70,共4页Microelectronics

基　　金：上海市纳米技术专项资助项目(052nm084)国家重点基础研究发展计划资助项目(G2000036506)国家自然科学基金资助项目(90101012)

摘　　要：随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示巨大优势。文章分析了RF电路 发展中遇到的挑战和SOI在RF电路中的应用优势,综述了SOI RF电路的最新进展。With the improvement of the operation frequency and integration of radio frequency circuits, the impact of the substrate on the circuit performance is becoming more and more serious. With its smart structure, SOI offers additional design advantages over bulk CMOS technology due to its excellent electrical property. The compatibility with CMOS process makes it possible to incorporate digital and analog circuits on a single chip. Challenges encountered in the development of RF circuits are analyzed, as well as the advantages of SOI in RF applications. The state-of-the-art of SOI for RF IC's is reviewed.

关 键 词：射频集成电路 高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX 

分 类 号：TN431[电子电信—微电子学与固体电子学]