王石冶

作品数：2被引量：3H指数：1
导出分析报告
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：SOI高压器件高压器击穿电压介质更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微电子学》《功能材料》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金上海市科学技术发展基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
SOI在射频电路中的应用被引量：2
《微电子学》2005年第1期67-70,共4页骆苏华 刘卫丽 张苗 狄增峰 王石冶 宋志棠 孙晓玮 林成鲁 
上海市纳米技术专项资助项目(052nm084)国家重点基础研究发展计划资助项目(G2000036506)国家自然科学基金资助项目(90101012)
随着射频电路(RF)工作频率和集成度的提高,衬底材料对电路性能的影响越来越大。 SOI(Silicon-on-Insulator)结构以其良好的电学性能,为系统设计提供了灵活性。与CMOS工艺的 兼容使它能将数字电路与模拟电路混合,在射频电路应用方面显示...
关键词：射频集成电路 高阻SOI FD-SOI CMOS SIMOX 
SOI在高压器件中的应用被引量：1
《功能材料》2004年第z1期983-987,共5页王石冶 刘卫丽 张苗 林成鲁 宋志棠 
国家重点基础研究专项经费(G20000365);国家自然科学基金资助项目(90101012);上海市科技发展基金资助项目(0252nm084和0359nm004)
综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.
关键词：SOI 高压器 击穿电压 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部