(Al)GaInP材料的MOCVD生长研究  

Study on the MOCVD Growth of (Al)GaInP

作　　者：俞波[1] 李建军[1] 盖红星[1] 牛南辉[1] 邢艳辉[1] 邓军[1] 韩军[1] 廉鹏[1] 沈光地[1] 

机构地区：[1]北京工业大学电控学院光电子技术实验室,北京100022

出　　处：《激光与红外》2005年第3期181-183,共3页Laser & Infrared

基　　金：科技部 973计划项目(NO.G20000683-02)。

摘　　要：对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究了生长速度和生长温度对材料质量的影响。根据测试结果优化了(Al)GaInP材料的生长速度和生长温度。为研制出高性能的650nm半导体激光器打下良好的材料基础。The MOCVD growth of Ga (0.5)In (0.5)P and (Al XCa (1-X)) (0.5)In (0.5)P were investigated.The effects of the growth parameters such as growth temperature and the growth rate on the material quality were studied by DCXRD and PL measurements.The optimized growth parameters can be used for the fabrication of 650nm laser diodes.

关 键 词：金属有机化合物汽相淀积 ALGAINP GAINP 

分 类 号：TN244[电子电信—物理电子学]