金属诱导单一方向横向晶化薄膜晶体管以及栅控型轻掺杂漏极结构的研究  

Low-temperature metal-induced unilateral crystallized polycrystalline silicon thin-film transistor and gate-modulated lightly-doped drain structure

作　　者：孟志国[1] 吴春亚[1] 李娟[1] 熊绍珍[1] 郭海成[2] 王文[2] 

机构地区：[1]南开大学信息学院光电子器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津300071 [2]香港科技大学电机电子工程系

出　　处：《物理学报》2005年第7期3363-3369,共7页Acta Physica Sinica

基　　金：国家高技术研究发展计划(批准号:2004AA303570);国家自然科学基金(批准号:60437030;60077011);国家出国留学人员回国基金;香港RGC资助的课题.~~

摘　　要：提出了一种低温金属单向诱导横向晶化的多晶硅薄膜晶体管(LT_MIUCpoly_SiTFT)的技术.使用该技术可在大面积廉价玻璃衬底上制备出高迁移率、低漏电电流、具有较好均匀性的多晶硅器件.在进一步的研究中,设计了一种新型的栅控轻掺杂漏区(GM_LDD)结构,有效地解决了在较高源漏电压下的栅诱导漏电问题.使得LT_MIUC poly_SiTFT更适用于高质量的有源矩阵显示器.In this paper the low-temperature metal-induced unilaterally crystallized (MIUC) polycrystalline silicon thin-film transistors (TFTs) have been developed and characterized. These TFTs have higher field-effect mobility, lower off-state current and better spatial uniformity. A new structure of gate-modulated lightly doped drain of TFT was proposed. It is very effective to lower gate-induced drain-leakage current of the TFTs when a higher source drain voltage is applied to it. This type MIUC TFT is suitable to fabricate active matrices for liquid crystal and organic light-emitting diode flat-panel displays on large area glass substrates.

关 键 词：轻掺杂漏 金属诱导 结构 栅控 晶化 多晶硅薄膜晶体管 有源矩阵显示器 玻璃衬底 漏电电流 poly 迁移率 硅器件 均匀性 TFT 技术 Si 

分 类 号：TN32[电子电信—物理电子学]