反应离子腐蚀及其在VLSI失效分析中的应用  

RIE and the Application in the VLSI Failure Analysis Field

作　　者：林晓玲[1] 费庆宇[1] 章晓文[1] 施明哲[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第五研究所,广东广州510610

出　　处：《电子产品可靠性与环境试验》2006年第1期42-45,共4页Electronic Product Reliability and Environmental Testing

摘　　要：介绍了多层金属化结构VLSI芯片的解剖技术——反应离子腐蚀去钝化层法,包括其原理、与其它芯片解剖技术的比较以及各种工艺参数对该技术的影响,并列举了几个实用例子。反应离子腐蚀法实现了芯片表面和内部结构的可观察性和可探测性,降低了失效分析时样品制备的风险,是VLSI失效分析过程的重要步骤。It introduces the die deprocessing method of multi-layer structure VLSI-RIE （reactive ion etching） and its application in the VLSI failure analysis field, including its principle, comparison with other deprocessing methods and the influence of various parameters. Several examples are provided. RIE is one of the important steps to access a successful failure analysis because it can reduce the risk of the sample preparation and achieve the observability and detectability of internal structure of a chip.

关 键 词：超大规模集成电路 失效分析 多层金属化 反应离子腐蚀 钝化层 VLSI芯片 应用 内部结构 工艺参数 可探测性 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]