IC制造中平坦化技术的性能与分析  

Performance and analysis of the planarization technologyin IC manufacture

作　　者：李庆忠[1] 于秀坤[1] 苏建修[2] 

机构地区：[1]沈阳航空工业学院,辽宁沈阳110034 [2]大连理工大学现代制造技术教育部重点实验室,辽宁大连116024

出　　处：《沈阳航空工业学院学报》2006年第1期27-31,共5页Journal of Shenyang Institute of Aeronautical Engineering

摘　　要：表面平整化技术是半导体工业的关键技术,在一定程度上制约着半导体芯片集成技术的发展,针对多层立体布线的IC全局平坦化技术,介绍了代表当今平整化技术及其未来的发展方向,其中一些技术会取代传统的CMP技术而成为IC产业的主导技术之一;叙述了超大规模集成电路(ULSI)的发展对全局平整化的具体要求;对传统的CMP技术的特点进行了分析;并论述了当今主流的IC平整化技术的原理、性能以及未来的发展方向。The planarization technique is one of the key techniques in semiconductor industry, which restricts greatly the development of semiconductor chip integration technique. Aiming at the multilayer solid integrated planarization technique, this paper makes a brief introduction of the actuality and some development trend of the IC planarization technology, the concrete demand of planarization according with ULSI development; the advantages of traditional CMP technology are also analyzed, including the principle, performance and future developments direction of main IC planarization technology.

关 键 词：硅片 化学机械抛光 平坦化 集成电路 

分 类 号：TN305.2[电子电信—物理电子学]