多层式金刚石薄膜的制备工艺研究  

Study of multi-layer diamond films for high frequency surface acoustic wave devices

作　　者：阮建锋[1] 夏义本[1] 王林军[1] 刘健敏[1] 蒋丽雯[1] 崔江涛[1] 苏青峰[1] 史伟民[1] 

机构地区：[1]上海大学材料科学与工程学院,上海200072

出　　处：《功能材料与器件学报》2006年第2期91-94,共4页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家自然科学基金(项目编号:60277024);上海应用材料研究与发展基金(批准号0404);上海市教育委员会"材料学"重点学科资助

摘　　要：利用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,通过逐次调整气压、碳源浓度等生长参数,沉积了晶粒尺寸逐层减小的多层式金刚石薄膜。场发射扫描电镜(FE-SEM)和原子力显微镜(AFM)测试显示其表层晶粒平均尺寸约为20nm,厚度和表面平均粗糙度分别为35.81μm和18.8nm(2μm×2μm),皆能满足高频声表面波器件用衬底的要求。实验结果表明,多层式生长方法是制备声表面波器件用金刚石衬底的理想方法。The thick and fiat multi -layer diamond films were prepared by hot filament chemical vapor deposition（ HFCVD）for high frequency surface acoustic wave devices. The diamond grain size reduces gradually by changing deposition parameters and the surface grain size decreases approximately to 20nm. The total thickness and surface roughness of the multi -layer film were 35. 8μm and 18.8nm （2μm × 2μm） evaluated by field emission scanning electron microscopy （FE -SEM） and atom force microscopy （AFM）, respectively. These results show this multi - layer diamond film is fit for the substrate of high frequency surface acoustic wave devices.

关 键 词：纳米金刚石 HFCVD 表面粗糙度 声表面波 

分 类 号：TN304.185[电子电信—物理电子学]