Ta-W合金的化学机械抛光实验研究  

作　　者：舒行军[1] 何建国[1] 陶继忠[1] 戴晓静[1] 刘玉岭[2] 

机构地区：[1]中国工程物理研究院.机械制造工艺研究所,621900 [2]河北工业大学微电机技术与材料研究所,300130

出　　处：《精密制造与自动化》2006年第2期28-30,共3页Precise Manufacturing & Automation

摘　　要：针对Ta-W合金材料圆薄片零件化学机械抛光工艺,设计了Ta-W合金材料CMP抛光液。采用单因素法,试验改变抛光液内组份的含量对抛光速率和抛光件表面质量的影响,以确定抛光液中各组分的最佳含量区间。找到化学作用与机械作用的最佳结合点,使两者的作用效果得到良好的匹配,才能获得高去除率、平面度好、无表面损伤的加工工艺。

关 键 词：化学机械抛光 CMP抛光液 抛光速率 

分 类 号：TG179[金属学及工艺—金属表面处理]