Epion实现超浅掺杂Thoughput的重大提高  

出　　处：《集成电路应用》2006年第8期16-16,共1页Application of IC

摘　　要：气体丛离子束（GCIB）开发商Epion宣布对其nFusion^TM掺杂系统产生的离子束电流实现了重大性能提高。增强的离子束质量传递不仅使晶圆的throughput提高，并且提高了表面掺杂浓度，可应用于包括DRAM制造中超浅结和多晶双栅硼掺杂，以及沟道锗掺杂。nFusion^TM在相当于180mA的束流下产生的能量非常低，这对防止光刻胶过热具有非常的意义。

关 键 词：掺杂浓度 离子束 质量传递 DRAM 硼掺杂 超浅结 光刻胶 晶圆 双栅 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]