HfO_2/Si(001)界面层的TEM研究  

作　　者：卓木金[1] 马秀良[1] 

机构地区：[1]中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室,辽宁沈阳110016

出　　处：《电子显微学报》2006年第B08期81-82,共2页Journal of Chinese Electron Microscopy Society

基　　金：国家杰出青年基金资助项目(No.50325101);国家重点基础研究发展规划(973)项目(2002CB613503)资助

关 键 词：SI(001) HFO2 TEM 界面层 高K栅介质 微电子技术 MOS器件 等效厚度 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]