SI(001)

作品数:95被引量:50H指数:3
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Growth of two-inch free-standing heteroepitaxial diamond on Ir/YSZ/Si(001)substrates via laser-patterned templates
《Journal of Semiconductors》2024年第9期4-6,共3页Pengfei Qu Peng Jin Guangdi Zhou Zhen Wang Zhanguo Wang 
supported by the National Key Research and Development Program of China(Grant No.2022YFB3608600);the Beijing Municipal Science and Technology Commission(Grant No.Z181100004418009);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61927806)。
As an ultra-wide bandgap semiconductor,diamond garners significant interest due to its exceptional physical properties^([1–3]).These superior characteristics make diamonds highly promising for applications in power e...
关键词:TEMPLATE exceptional DIAMOND 
Si(001)基片上的FePt薄膜性质被引量:1
《信息记录材料》2023年第4期44-47,共4页杨真艳 杨文韬 祝昆 
贵州教育厅青年科技人才成长项目(黔教技[2022]346号);六盘水师范学院重点专业建设项目(LSZDZY2018-03);六盘水师范学院重点学科建设项目(LPSSYZDXK201801);六盘水师范学院硕士培育点(LPSSYSSDPY201704)。
磁力显微镜针尖涂层是当下研究的热门,本文在Si(001)基片上生长FePt并研究其性质。控制热处理温度可有效调配L10-FePt与A1-FePt比例,进而控制矫顽力。针对MgO与FePt共溅射与分层溅射对矫顽力的影响进行分析。为非磁性物质嵌入磁性涂层...
关键词:FePt薄膜 矫顽力 热处理 
分子束外延GaAs/Si(001)材料反相畴的湮灭机理被引量:3
《中国激光》2022年第23期33-38,共6页肖春阳 王俊 李家琛 王海静 贾艳星 马博杰 刘倬良 明蕊 白一鸣 黄永清 任晓敏 罗帅 季海铭 
国家自然科学基金(61874148,61974141);国家重点研发计划重点专项课题(2018YFB2200104);北京市科技计划课题(Z191100004819012);北京市自然科学基金(4212055);国家创新研究群体科学基金(62021005);高校学科创新引智计划项目(BP0719012)。
从第一性原理出发,计算了不同温度下GaAs材料中沿{110}、{111}和{112}面传播的反相畴(APD)形成能,探索了反相畴的湮灭机理。结果表明,当温度达到660 K以上时,APD最稳定的传播晶面从{110}转变到{112}。通过分子束外延(MBE)技术,在无偏角S...
关键词:材料 硅基激光器 第一性原理 分子束外延 反相畴 无偏角Si(001) 
CoSi(001)∥MgO(001)薄膜电子结构和铁磁性的第一性原理计算
《功能材料》2022年第5期5173-5177,5192,共6页邹江 汪鑫海 王立峰 贺娟 吴波 谢泉 
贵州省教育厅青年科技人才成长项目(黔教合KY[2017]254)。
使用了基于密度泛函理论的第一性原理的方法,计算了外延关系为CoSi(001)∥MgO(001)的薄膜生长体系的电子结构和磁矩,以及分析了其电荷密度与差分电荷密度。结果发现当CoSi晶体的晶格常数a,b设定为0.84224 nm,c=0.28135 nm时,体系的能量...
关键词:CoSi薄膜 第一性原理 电子结构 电荷密度 磁性 
Si(001)基片上制备的FePt薄膜的性质被引量:2
《科技创新与应用》2019年第31期75-76,共2页杨真艳 李国庆 
磁力显微镜针尖涂层是当下研究的热门,文章重点研究FePt薄膜在Si(001)基片上的性质。MgO隔离层可以防止FePt与Si之间产生扩散。热处理温度的不同将导致薄膜中L10-FePt与A1-FePt的比例不同从而有效控制矫顽力。重点研究MgO与FePt共溅射和...
关键词:FePt薄膜 矫顽力 交换耦合 
Influence of the finite size effect of Si(001)/SiO2 interface on the gate leakage current in nano-scale transistors
《Journal of Southeast University(English Edition)》2019年第3期341-350,共10页Li Haixia Ji Aiming Zhu Canyan Mao Lingfeng 
The National Natural Science Foundation of China(No.61774014);Postgraduate Research&Practice Innovation Program of Jiangsu Province(No.KYZZ15_0331);the Natural Science Foundation of the Jiangsu Higher Education Institutions of China(No.19KJB510060)
With the device size gradually approaching the physical limit, the small changes of the Si(001)/SiO 2 interface in silicon-based devices may have a great impact on the device characteristics. Based on this, the bridge...
关键词:finite size effect tunneling current nano-scale transistor 
Suppressing Effects of Ag Wetting Layer on Surface Conduction of Er Silicide/Si(001) Nanocontacts
《Chinese Physics Letters》2018年第8期74-78,共5页Qing Han Qun Cai 
Supported by the National Natural Science Foundation of China under Grant No 11374058
Current-voltage electrical characteristics of Er silicide/Si(001) nanocontacts are measured in situ in a scanning tunneling microscopy system. Introduced as a new technique to suppress surface leakage conduction on...
关键词:AG Suppressing Effects of Ag Wetting Layer on Surface Conduction of Er Silicide/Si NANOCONTACTS 
Superconductivity of bilayer titanium/indium thin film grown on SiO2/Si(001)
《Chinese Physics B》2018年第6期429-433,共5页Zhao-Hong Mo Chao Lu Yi Liu Wei Feng Yun Zhang Wen Zhang Shi-Yong Tan Hong-Jun Zhang Chun-Yu Guo Xiao-Dong Wang Liang Wang Rui-Zhu Yang Zhong-Guo Ren Xie-Gang Zhu Zhong-Hua Xiong Qi An Xin-Chun Lai 
Bilayer superconducting films with tunable transition temperature(Tc) are a critical ingredient to the fabrication of high-performance transition edge sensors. Commonly chosen materials include Mo/Au, Mo/Cu, Ti/Au, ...
关键词:titanium/indium thin film molecular beam epitaxy (MBE) proximity effect 
The study of the interactions between graphene and Ge(001)/Si(001)
《Nano Research》2017年第11期3648-3661,共14页Pawel Dabrowski Maciej Rogala Iwona Pasternak Jacek Baranowski Wlodzimierz Strupinski Marek Kopciuszynski Ryszard Zdyb Mieczyslaw Jalochowski Iaroslav Lutsyk Zbigniew Klusek 
The interaction between graphene and germanium surfaces was investigated using a combination of microscopic and macroscopic experimental techniques and complementary theoretical calculations.Density functional theory ...
关键词:chemical vapor deposition surface reconstruction scanning tunneling microscopy chemical bonding first-principles calculation 
Nanoscale spatial phase modulation of GaAs growth in V-grooved trenches on Si(001) substrate
《Chinese Physics B》2016年第12期451-454,共4页李士颜 周旭亮 孔祥挺 李梦珂 米俊萍 王梦琦 潘教青 
Project supported by the National Science and Technology Major Project of Science and Technology of China(Grant No.2011ZX02708);the National Natural Science Foundation of China(Grant No.61504137)
This letter reports the nanoscale spatial phase modulation of GaAs growth in V-grooved trenches fabricated on a Si (001) substrate by metal-organic vapor-phase epitaxy, Two hexagonal GaAs regions with high density o...
关键词:phase modulation GAAS GROOVES Si 
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