检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
机构地区:[1]Oxford Instruments Plasma Technology
出 处:《集成电路应用》2006年第10期53-53,共1页Application of IC
摘 要:原子层淀积系统FlexAL可以根据需求淀积超薄薄膜。设备采用等离子原子层淀积技术,能够在低温条件下得到高纯度、致密的薄膜,并且还能够使用热原子层淀积技术进行生产,这大大增强了设备的灵活性。设备已经具备生产高介电常数绝缘材料TiN、HfO2薄膜,室温淀积Al2O3薄膜和单层金属钌薄膜的能力,并能够兼容小样品到200mm硅片不同尺寸的操作对象。
关 键 词:淀积技术 原子层 系统 AL2O3薄膜 超薄薄膜 HFO2薄膜 高介电常数 低温条件
分 类 号:TN364.2[电子电信—物理电子学]
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