基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术  

A Technology for Making Silicon Film on Trenched Silicon Substrate

作　　者：张正元[1] 徐世六[1] 冯建[1] 胡明雨[1] 

机构地区：[1]四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室,重庆400060

出　　处：《传感技术学报》2006年第05A期1401-1403,共3页Chinese Journal of Sensors and Actuators

基　　金：国防重点实验室重点基金项目资助(A1120060490)

摘　　要：对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄膜的有效方法,该方法制备出了的薄膜厚度为10μm,均匀性为±0.5μm,达到了厚膜SOI材料制备的指标要求,硅薄膜完好率达到70%以上,为硅基MEMS的可动部件的制备打下了坚实的基础.The study of making silicon film on trenched silicon substrate is done for the silicon MEMS movability parts, a efficacious method is gained for making silicon film on trenched silicon substrate, the film uniformity is±0. 5μm, and the efficacious bonding areas is beyond of 70% by the this means, it is basic for developing the resonance pressure sensors.

关 键 词：可动部件 硅薄膜 MEMS 

分 类 号：TP212.12[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]