VLSI芯片制备中的多层互连新技术  

New Multilayer Copper Interconnect Technologies for VLSI

作　　者：成立[1] 李加元[1] 李华乐[1] 李岚[1] 王振宇[1] 

机构地区：[1]江苏大学电气与信息工程学院,江苏镇江212013

出　　处：《半导体技术》2006年第11期839-842,共4页Semiconductor Technology

基　　金：江苏省高校自然科学研究基金项目(04KJB310171)

摘　　要：在简要介绍多层互连材料的基础上,论述了若干种IC芯片制备中的多层互连技术,包括“Cu线+低k双大马士革”多层互连结构、平坦化技术、CMP工艺、“Cu+双大马士革+低k”技术、插塞和金属通孔填充工艺等,并提出了一些多层互连工艺中的关键技术措施。Based on the introduction of multilayer interconnect materials, more new multilayer interconnect technologies for IC were discussed, including ＇Cu conductor ＋ low-k dielectric dual damascene＇ multilayer interconnect, planarization, CMP, ＇Cu conductor ＋ dual damascene ＋ low-k dielectric＇, filling process of plug or metal contact and so on. And some pivotal techniques were proposed for multilayer interconnect.

关 键 词：集成电路 铜互连 低K介质 双嵌入(双大马士革)工艺 淀积 化学机械抛光 

分 类 号：TN305.97[电子电信—物理电子学] TN405.97