低K介质

作品数：27被引量：86H指数：4
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相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司上海华力微电子有限公司国际商业机器公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司更多>>
相关期刊：《微电子学》《中国机械工程》《电子元件与材料》《集成电路应用》更多>>
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化学机械抛光后清洗工艺对多孔低k介质的影响被引量：3
《电镀与涂饰》2019年第8期338-343,共6页韩春宇 檀柏梅 高宝红 杨柳 刘宜霖 王昊 藏俊生 王慧 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2016ZX02301003-004-007);国家青年自然科学基金(61704046);河北省自然科学基金(F2018202174)
对多孔低k介质BD(Black Diamond)光片化学机械抛光(CMP)后,采用由150 mg/L FA/O Ⅱ型螯合剂与750 mg/L FA/O Ⅱ型表面活性剂组成的碱性清洗液(pH=10.4)进行清洗。探究了清洗过程中刷子间距、刷子转速,以及清洗液和去离子水刷洗时间对BD...
关键词：多孔绝缘介质 化学机械抛光 碱性清洗 相对介电常数 表面粗糙度 
40 nm工艺芯片中低k介质剪切失效分析被引量：3
《半导体技术》2018年第9期708-713,共6页杨辰 王珺 王磊 余可航 
国家自然科学基金资助项目(61774044);国家科技重大专项资助项目(2017ZX02315005);新型显示技术及应用集成教育部重点实验室(上海大学)基金资助项目
90 nm节点及以下的芯片在回流组装中,材料热失配引起的凸点剪切易导致低介电常数（k）布线介质层中发生断裂失效,即芯片封装交互影响问题。通过单个凸点的剪切试验,结合凸点下方的布线层失效分析,评估芯片布线层可靠性;并采用有限元分...
关键词：芯片封装交互影响 有限元分析 子模型 剪切实验 能量释放率(ERR) 
45nm芯片铜互连结构低k介质层热应力分析被引量：3
《半导体技术》2017年第1期55-60,共6页林琳 王珺 王磊 张文奇 
国家科技重大专项资助项目(2014ZX02501)
采用铜互连工艺的先进芯片在封装过程中,铜互连结构中比较脆弱的低介电常数(k)介质层,容易因受到较高的热机械应力而发生失效破坏,出现芯片封装交互作用(CPI)影响问题。采用有限元子模型的方法,整体模型中引入等效层简化微小结构,对45 n...
关键词：芯片封装交互作用(CPI) 有限元分析 低介电常数介质 子模型 热机械应力 45 nm芯片 
布线图案导致的集成电路平坦化损伤研究被引量：1
《电子元件与材料》2014年第7期60-65,共6页郭玉龙 郭丹 潘国顺 雒建斌 
"973"计划资助项目(No.2011CB013102);国家自然科学基金资助项目(No.91223202;No.51375255);国际科技合作项目资助(No.2011DFA70980)
使用化学机械抛光(CMP)的方式,对商用芯片进行拆解,获得了不同制造工艺的铜/低k介质互连结构样品。通过对所获得的32 nm制造工艺的铜/低k介质互连结构样品进行进一步的化学机械抛光实验来研究抛光过程中出现的损伤。实验结果发现,抛光...
关键词：化学机械抛光 集成电路制造 平坦化损伤 低K介质 互连结构 抛光下压力 
SiCOH低k介质中低表面粗糙度沟道的刻蚀研究被引量：1
《真空科学与技术学报》2014年第1期68-73,共6页钱侬 叶超 崔进 
国家自然基金项目(11275136;11075114;10975105)
采用60 MHz/2 MHz双频率驱动的容性耦合放电等离子体技术,以C2F6/O2/Ar为刻蚀气体,开展了SiCOH低k介质中刻蚀低表面粗糙度沟道的研究。主要研究了O2/C2F6流量比对与SiCOH低k薄膜之间的刻蚀选择性的影响,以及O2/C2F6流量比、下电极功率...
关键词：SiCOH低k介质 沟道刻蚀 双频容性耦合等离子体 表面粗糙度 沟道剖面结构 
低k介质多孔SiO_2干凝胶薄膜的温度效应研究
《电子元件与材料》2013年第8期26-28,共3页边惠 万里 
国家自然科学基金资助项目(No.60807002)
采用正硅酸乙酯(TEOS)作为Si源,利用溶胶–凝胶旋涂法制备了多孔SiO2干凝胶薄膜,测试分析了200,300和400℃退火后样品的不同特性。研究了退火温度对多孔SiO2干凝胶低k薄膜的化学性质、物理性质和电学性能的影响。结果表明在400℃的退火...
关键词：低介电常数 干凝胶 夹层介质 温度效应 多孔薄膜 泄漏电流 
SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展被引量：1
《功能材料与器件学报》2012年第5期403-411,共9页徐光明 郭宇锋 花婷婷 徐跃 吉新春 
国家自然科学基金项目(资助号:60806027;61076073);电子薄膜与集成器件国家重点实验室基金(KFJJ201011)
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键。本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因;然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术...
关键词：LDMOS 超薄SOI 界面电荷 低K介质 纵向耐压 
碱性抛光液在CMP过程中对低k介质的影响被引量：2
《半导体技术》2012年第1期29-32,共4页王立冉 邢哲 刘玉岭 胡轶 刘效岩 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
以p型<111>硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化。实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以及新型抛光液对低k材料进行抛光后,利用电参数仪对低k材...
关键词：低K材料 化学机械抛光 抛光液 介质电特性 聚酰亚胺 
超低k介质材料低损伤等离子体去胶工艺进展被引量：1
《微纳电子技术》2011年第11期733-738,共6页吴元伟 韩传余 赵玲利 王守国 
国家科技02重大专项基金资助项目(2009ZX0203008)
介绍了三类常见的低k介质材料,并对空气隙(k=1)的发展进行了探讨;讨论了引起等离子体损伤的机理和传统的O2等离子体去胶工艺面临的困难;最后综述了近年来国际上提出的低损伤等离子体去胶工艺的研究进展。人们已经开发出一些对低k材料进...
关键词：等离子体去胶 多孔超低k介质 空气隙 等离子体损伤 损伤修复 金属硬掩膜(MHM) 
ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质界面特性XPS研究被引量：1
《半导体技术》2010年第2期105-108,共4页杨春晓 张驰 徐赛生 丁士进 张卫 
国家基础研究重点发展项目(2006CB302703);"先进互连材料和概念"国际研究培训组中的中国教育部支持
对ZrN扩散阻挡层与SiCON低k介质(k=2.35)的界面特性进行了XPS分析。实验结果表明,刚淀积的样品中ZrN与SiCON薄膜之间有一定程度的相互扩散并形成界面区。在界面区内Zr与SiCON薄膜中O及N元素相互作用成键,表明ZrN/SiCON界面有良好的黏附...
关键词：界面 ZrN阻挡层 SiCON低介电常数薄膜 X射线光电子能谱 
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