低介电常数介质

作品数:9被引量:29H指数:3
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45nm芯片铜互连结构低k介质层热应力分析被引量:3
《半导体技术》2017年第1期55-60,共6页林琳 王珺 王磊 张文奇 
国家科技重大专项资助项目(2014ZX02501)
采用铜互连工艺的先进芯片在封装过程中,铜互连结构中比较脆弱的低介电常数(k)介质层,容易因受到较高的热机械应力而发生失效破坏,出现芯片封装交互作用(CPI)影响问题。采用有限元子模型的方法,整体模型中引入等效层简化微小结构,对45 n...
关键词:芯片封装交互作用(CPI) 有限元分析 低介电常数介质 子模型 热机械应力 45 nm芯片 
FIB参数对低介电常数介质TEM样品制备的影响被引量:8
《半导体技术》2010年第3期241-244,共4页杨卫明 段淑卿 芮志贤 王玉科 郭强 简维廷 
研究了使用聚焦离子束(FIB)方法制备低k介质的TEM样品时离子束参数对介质微观形貌的影响,发现低k介质的微观形貌与离子束参数具有较强的相关性。传统大离子束流、高加速电压的FIB参数将导致低k介质多孔性增加、致密度下降;且k值越低,离...
关键词:低介电常数介质 聚焦离子束 透射电子显微镜 样品制备 
SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究被引量:1
《上海交通大学学报》2007年第S2期9-11,共3页孙亮 朱莲 薛原 丁士进 张卫 
国家自然科学基金资助项目(90607019)
利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiO2低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现—CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分子吸附于Si-CH3反应位情况下的吸水反应.当S...
关键词:SIOC 密度泛函理论 吸水反应 
表征ULSI低介电常数互连材料机械特性的表面波频散特性被引量:4
《Journal of Semiconductors》2005年第10期2032-2037,共6页李志国 肖夏 张鑫慧 姚素英 
国家自然科学基金(批准号:60406003);教育部留学回国人员科研启动基金资助项目~~
研究了在Si(100)衬底上淀积低k薄膜的分层结构中表面波沿Si[100]和[110]晶向传播的速度频率色散特性,给出了表面波色散特性的理论推导,得到了低k薄膜的杨氏模量、密度、厚度和泊松常数对色散关系的影响.
关键词:低介电常数介质 表面波 频散特性 杨氏模量 
了解最新进展,研究发展规律,加快我国IC产业发展
《现代电子技术》2003年第5期1-5,共5页徐毓龙 
简要介绍国内外集成电路和半导体技术、产业的最新情况 ,总结其发展规律 。
关键词:IC产业 发展 集成电路 中国 90nm微加工技术 铜/低介电常数介质布线技术 
ULSI互连中纳米多孔SiO_2的制造工艺、特性及应用前景被引量:4
《固体电子学研究与进展》2002年第3期349-354,共6页阮刚 陈智涛 肖夏 朱兆旻 段晓明 
综述了 ULSI互连中纳米多孔二氧化硅 (NPS)电介质主要品种干燥凝胶 (Xerogel)的典型制造工艺 ,给出并分析了介电常数、应力、热导率和机械强度等主要特性 。
关键词:ULSI 纳米多孔二氧化硅 干燥凝胶 低介电常数介质 特大规模集成电路互连 
超大规模集成电路的一些材料物理问题(I)——Cu互连和金属化被引量:6
《物理》2001年第12期757-761,共5页刘洪图 吴自勤 
21世纪初 ,超大规模集成电路 (ULSI)的特征尺寸将由 15 0nm逐代缩至 5 0nm .文章以 10 0nmULSI器件为主 ,简要介绍与互连相关的一些材料物理问题 ,其中包括Cu互连。
关键词:超大规模集成电路 Cu 互连 金属化 特征尺寸 材料物理  低介电常数介质 
互连、布线、隔离与装架工艺
《电子科技文摘》2001年第3期24-26,共3页
Y2000-62422-54 0103761新型三维 IC 结构=Novel 3-D structures[会,英]/Saraswat,K.C.& Souri,S.J.//1999 IEEE Interna-tional SOI Conference Proceedings.—54~55(EC) Y2000-62422-131 0103762应用体固定部分沟道隔离的体布局兼容0...
关键词:装架工艺 绝缘体上硅 金属互连 低介电常数介质 隔离 金属化工艺 铜互连 布线 集成 可靠性 
集成电路铜连线技术被引量:3
《物理》1999年第6期364-367,共4页徐毓龙 周晓华 徐玉成 
简要介绍了集成电路铜连线技术及其应用
关键词:铜连线技术 低介电常数介质 RC常数 集成电路 
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