超大规模集成电路的一些材料物理问题(I)——Cu互连和金属化  

SOME ISSUES OF THE MATERIAL PHYSICS FORULTRA LARGE SCALE INTEGRATION——Cu INTERCONNECT & MATELLIZATION(Ⅰ)

作　　者：刘洪图[1] 吴自勤[2] 

机构地区：[1]中国科学技术大学物理系,合肥230026 [2]中国科学技术大学天文和应用物理系,合肥230026

出　　处：《物理》2001年第12期757-761,共5页Physics

摘　　要：21世纪初 ,超大规模集成电路 (ULSI)的特征尺寸将由 15 0nm逐代缩至 5 0nm .文章以 10 0nmULSI器件为主 ,简要介绍与互连相关的一些材料物理问题 ,其中包括Cu互连。At the beginning of the 21st century, the characteristic dimensions of ultra large scale integration(ULSI) will decrease from 150nm to 50nm. Using 100nm ULSI devices as the main example, we discuss briefly some issues of the material physics involved, including Cu interconnects, metallization and low ε dielectric materials associated with interconnection.

关 键 词：超大规模集成电路 Cu 互连 金属化 特征尺寸 材料物理 铜 低介电常数介质 

分 类 号：TN47[电子电信—微电子学与固体电子学]